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[GTC 2026] 삼성전자, GTC서 HBM4E 첫 공개…엔비디아와 ‘AI 인프라 동맹...
HBM4E 칩·코어 다이 웨이퍼 공개엔비디아 ‘베라 루빈’ 플랫폼에메모리 토털 솔루션 유일 공급 삼성전자 HBM4 삼성전자가 차세대 인공지능(AI) 메모리 ‘HBM4E’를 공개하며 AI 반도체 인프라 경쟁에 본격적으로 나섰다. 메모리와 로직, 파운드리, 패키징 기술을 결합한 ‘토털 솔루션‘ 전략을 앞세워 글로벌 AI 시장에서 존재감을 확대하겠다는 구상이다.삼성전자는 16일부터 19일(현지시간)까지 미국 새너제이에서 열리는 엔비디아 개발자 행사 ‘GTC 2026’에 참가해 차세대 HBM4E 기술과 엔비디아 차세대 AI 플랫폼 ‘베라 루빈’을 지원하는 메모리 토털 솔루션을 공개했다고 밝혔다. 이번 행사에서 삼성전자는 ‘HBM4 히어로 월(Hero Wall)‘ 전시를 통해 차세대 HBM 기술을 소개했다. 특히 10나노급 6세대 ’1c D램‘ 공정과 파운드리 4나노 기반 베이스 다이를 결합한 HBM4E 실물 칩과 코어 다이 웨이퍼를 처음 공개했다.HBM4E는 여러 개의 메모리 칩을 수직으로 쌓아 데이터 처리 속도를 크게 높인 차세대 고대역폭 메모리다. 삼성전자는 메모리 설계뿐 아니라 자체 파운드리 공정과 로직 설계, 패키징 기술을 결합해 핀당 최대 16Gbps 속도와 초당 4.0TB 대역폭을 구현할 예정이라고 설명했다.또한 삼성전자는 차세대 패키징 기술인 ‘HCB(Hybrid Copper Bonding)’도 공개했다. 이 기술은 칩을 구리 접합 방식으로 직접 연결하는 방식으로 기존 TCB 방식보다 열 저항을 20% 이상 줄이고 16단 이상 고적층 메모리를 구현할 수 있는 것이 특징이라고 설명했다. AI 반도체 성능을 좌우하는 발열과 데이터 처리 효율을 동시에 개선할 수 있는 기술이라는 평가다.올해 GTC에서 삼성전자는 엔비디아 차세대 AI 플랫폼 ‘베라 루빈’과의 협력도 강조했다. 베라 루빈은 CPU ‘베라‘와 GPU ‘루빈’을 결합한 차세대 AI 칩 플랫폼으로 대규모 AI 모델 추론 작업의 비용과 전력 효율을 높이기 위해 개발된 시스템이다.삼성전자는 이 플랫폼에 필
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